産業: 半導体
デバイスの電気的および機械的構成、アセンブリの詳細な定義処理やテストのそれ以降の変更を追跡するための基点として使用されます。
通常 ° C/W の点で述べたように、それはパッケージの操作中に、チップによって生成される熱を放散する能力の指標です。?JC は半導体ジャンクションとケース; 間の熱抵抗であるパッケージに半導体接合によって生成される熱を渡すチップの能力の指標ですか？ JA は半導体接合と周囲の環境や周囲の空気に熱チップを渡す場合の能力の指標間の熱抵抗。 ...
A corrosion that results from the interaction of gold with aluminum that contains more than 2% silicon. At temperatures greater than 167°C, the silicon will act as a catalyst to create an ...
逆バイアスの電圧または電流誘起熱暴走状態の結果として半導体接合部の燃え尽き症候群です。
Logic using two logic states (ON and OFF, or Logic "0" and Logic "V).
同様に温度サイクル環境は、液体、および転送は即時であることを除いて。0 ° C ~ + 100 ℃ から 15 サイクル実行通常、パッケージのシールのはるかに深刻なストレスありサンプル単位でだけ通常採用されています。 ...
デバイスまたは電流を運ぶ領域と基板の異極性 (TTL 回路を構成するために使用により PNP と NPN トランジスタ） などのプロセス。正孔と電子の両方は、バイポーラ ・ デバイスで運ばれます。BI FETTM などのいくつかの技術はバイポーラとユニポーラを組み合わせます。 ...
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