産業: 半導体
特定の半導体回路が形成されたシリコンの単一の正方形または長方形ピース。
ときその破壊強度より大きい電圧酸化物の層の内で発生する損傷はそれを渡って適用されます。
各回路要素は完全に拡散した他のすべての要素から要素を分離する酸化障壁によって囲まれた半導体製造プロセス。
サイコロ ボンディング電気などのパッケージにまたはハイブリッド基材に金型のアセンブリの前にテストできるように、テープ上のリード フレームの接点を各ダイスのボンディング パッドによって柔軟なリボン テープのマウント。 ...
P チャネルと N チャネル デバイスは同じダイ上に作製した MOS 技術。
与えられた材料が展開または温度変化として収縮率の ( C または ppm/° C） で測定。熱膨張率の異なる 2 つの材料が結合される膨張または収縮はそれらの間の結合インタ フェースを負担します。接合部に継続的なろ過分離される可能性があります。 ...
(で定義されてメソッド 5008 MIL-STD-883) 2 インチ以上の内側のシール境界 (つまり、キャビティの境界) を有するハイブリッド。
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