- 産業: Semiconductors
- Number of terms: 2987
- Number of blossaries: 0
- Company Profile:
National Semiconductor Corporation designs, develops, manufactures, and markets analog and mixed-signal integrated circuits and sub-systems.
가혹한 환경 조건에서 생존을 위해이 장치의 기능을 확인 하기 위해 높은 온도 습도 스트레스 주기 샘플 디바이스의 정복. 이 일반적으로 24 시간의 10 주기를 사용 하 여 샘플으로 수행 됩니다.
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MSI 장치는 그 100만 12 이상의 게이트 등가물을 포함 하는 것을 일반적으로 수용 된다. (See LSI.)
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영업 시간 후에 장치에 오류가 발생 하는 평균 수 다음 장치 오류가 발생할 것으로 예상 것 이라고 하기 전에 통과 것입니다.
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금속 분리 레벨의 상호 연결 요구는 제외 하 고 다양 한 레벨 (Si02) 같은 유 전체와 금속의 여러 층의 증 착을 통해 형성.
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MOS 트랜지스터 두 인접 한 N 형 유포 (소스와 드레인)는 유 전체 (게이트) 브리지에 의해 형성 되는 MOS 과정. 소스와 기판 접지 및 포지티브 전압은 게이트, 네거티브 차지 (N-채널)의 전도성 시트에 적용 하면 아래 유 전체 기판의 표면에 생성 됩니다.
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기판에 소수 캐리어 수명 감소 시키기 위하여 제조 중 중성자 방사선 장치의 노출. 이 버스트 방사선에 노출 하는 동안 래치 회로의 가능성을 최소화 합니다.
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