- 産業: Semiconductors
- Number of terms: 69
- Number of blossaries: 0
- Company Profile:
Maker of semiconductor chips and other communications and computing devices. Intel invented the x86 microprocessor series and the Pentium processor.
新的晶体管英特尔旨在减少刺激频率和 （或） 或减少在微处理器中的电源。晶体管延伸在 3D 中的半导体材料，增加材料的导电性能、 提高接触与晶体管门区。这将解决问题的漏电流"关"状态与"对"国家传统晶体管在低电流之间的混淆。三闸晶体管可以更快的同时仍然产生明确的字符串的 ons 的状态之间切换和平衡，和/或使用要大大缩短电源 （最多 50%）。
Industry:Semiconductors
跟踪而继续源之间流动和排水零部件的晶体管，移除电压时电流的款额。这有害的泄漏电流电源的废物和变得更多的问题，由于晶体管会变得更小、 更多。反演的图层 （晶体管的导体） 变得更小，可进行的电流也减少泄漏电流的水平，使它硬的区别之间"上"和"关闭"晶体管，意味着晶体管的主要目的 — — 转递我的和 O 的二进制文件 — — 成为丢失。
Industry:Semiconductors
Novo transistor projetado pela Intel para reduzir a freqüência de impulso e/ou ou reduzir o poder em microprocessadores. Transistor estende-se o material semicondutor em 3D, aumentar a condutividade do material e para elevar área com o portão de transistor de contato. Isso resolverá a questão da confusão entre corrente em "desativar" Estados de fuga e a baixa corrente de "em" Estados no transistor tradicional. Tri-portão transistores pode alternar entre Estados muito mais rápidos ao mesmo tempo em que ainda produz uma Cadeia de caracteres clara do ons e offs, e/ou uso muito reduzido de energia (até 50%).
Industry:Semiconductors
Rastrear valores de corrente que continuam a fluir entre fonte e drenam partes de transistores quando a tensão é removida. Isso indesejados a corrente de fuga desperdiça energia e torna-se ainda mais de um problema como transistores ficam menores e mais numerosos. Como camadas de inversão (o maestro em um transistor) ficam menores, a quantidade de corrente que pode conduzir também é reduzida para o nível de corrente de fuga, tornando difícil dizer a diferença entre "em" e "off" transistores, significando que o objetivo principal do transistor – transmissão do eu e o binário – torna-se perdido.
Industry:Semiconductors
Nya transistorn designad av Intel att minska ökad frekvens och/eller eller minska makten i mikroprocessorer. Transistorn utvidgar semiconductor materialet i 3D, öka ledningsförmåga av material och höja kontakta område med transistorn porten. Detta kommer att lösa frågan om sammanblandning av läckage aktuell i "off" stater och den låga-aktuellt "på" staterna i traditionella transistorn. Tri-gate transistorer kan växla mellan staterna mycket snabbare samtidigt som fortfarande producerar en tydlig sträng av ons och Starter eller användning mycket reducerad effekt (upp till 50%).
Industry:Semiconductors
Spåra belopp för aktuella som fortsätter att strömma mellan källa och rinna ut delar av transistorer när spänningen tas bort. Detta oönskade läckage aktuella avfall makt och blir ännu mer av ett problem som transistorer får mindre och mer många. Som invertering lager (dirigent i en transistor) blir smalare, mängden aktuella byrån kan utföra också reduceras till nivån för de nuvarande läckaget, vilket gör det svårt att avgöra skillnaden mellan "på" och "off" transistorer, vilket innebär att transistorns främsta syfte – överföring i's och o i binär – blir förlorade.
Industry:Semiconductors
Novo tranzistor, Intel namenjena zmanjšanje povečanje pogostosti in/ali ali zmanjšanje moči z mikroprocesorji. Je tranzistor razširja polprevodniškega materiala v 3D, povečajo prevodnost materiala in stik območje s tranzistorskih gate. To bo odpravljena zmede med puščanja, ki so trenutno v "off" članice in nizko-trenutni "na" članice v tradicionalnih tranzistor. Tri-gate tranzistorji lahko preklopite med članicami, ki je veliko hitreje, medtem ko še vedno proizvajajo jasno niz ons in off, in/ali uporabo, ki so veliko nižje moč (do 50 %).
Industry:Semiconductors
Sledenje zneskov trenutnega, ki še naprej tok med vir in možganov delov tranzistorji, ko napetost je odstranjena. To neželena puščanja, ki so trenutno odpadki moč in postane še bolj problem kot tranzistorji dobili manjše in bolj številne. Kot inverziji plasti (dirigent v a tranzistor) dobila manjše, znesek toka, ki se lahko izvajajo tudi zmanjša na ravni trenutni puščanja, tako da je težko povedati razlike med "na" in "izklop" tranzistorji, kar je tranzistor primarni namen – pošiljanje i's in o iz binarno – postane izgubljenih.
Industry:Semiconductors
புதிய transistor ஊக்கத்தை அளிக்கும் அலை குறைக்க மூலம் இன்டெல் வடிவமைக்கப்பட்டுள்ளது மற்றும்/அல்லது microprocessors அதிகாரத்தை குறைக்க அல்லது. 3டி semiconductor சாதனங்கள் ஆதாரத்திற்கு , transistor, அந்த தகவல்களை ஊடுகடத்தும் ஆற்றல் கொண்டவை அதிகரித்து மற்றும் இனத்தை தொடர்பு transistor வாயில் பரப்பு. இது leakage நடப்பு உள்ள "அணை" மாநிலங்கள் மற்றும் குறைந்த-நடப்பு "உள்ள" பாரம்பரிய transistor மாநிலங்கள் இடையே குழப்பத்தை விவகாரம் தொடர்பாக தீர்க்க. Tri வாயில் transistors மாநிலங்கள் இன்னும் ஒரு தெளிவான ons சரம் உற்பத்தி செய்யும் போது இயங்கக்கூடியவை இடையே மாற மற்றும் பயிற்சிகளை, மற்றும்/அல்லது பயன்படுத்தவும் பெரிதும் குறைத்த மின் (வரை 50%).
Industry:Semiconductors
எந்த மூல இடையே பாய்வு மற்றும் போது, மின்சாரக் நீக்க transistors பகுதிகளை சிறுநீரை தொடர்ந்து நடப்பு நடப்பட்டு அறிதல். இந்த unwanted leakage தற்போதைய மின் wastes மற்றும் காலக்கட்டத்தில் கூட மேலும் சிக்கல் போல் transistors பெற சிறிய மற்றும் மேலும் எண்ணிலடங்கா. போல் inversion அடுக்குகள் (மின்சாரம் உள்ள ஒரு transistor) சிறிய பெற, நடப்பு நடத்த முடியும் தொகையை மேலும் குறைக்கலாம் நடப்பு leakage அளவு, அதனை இடையே "உள்ள" மற்றும் "அணை" transistors, அதாவது, transistor ஆரம்ப தொடரிலேயே – அரசின் மற்றும் o என்ற binary, அனுப்புவதில் – மாற்றம் கூறுங்கள் கடின காலக்கட்டத்தில் இழந்திருக்கலாம்.
Industry:Semiconductors
