産業: 半導体
ゲート電極としてポリシリコン材料を用いて作製した MOS プロセス。
2 インチ未満の内側のシール境界 (すなわち、キャビティの境界) を有するハイブリッド デバイス。
そのパッケージの 1 つの側面から発せられるすべてのリードとパッケージ （ハーメチックまたは成形）。
債券は、ハイブリッド ・ サブストレート上の 2 つのメタライゼーション配線間配置されます。
範囲の電圧、電流、温度、等、外側には、デバイスのパフォーマンスや信頼性は真剣に低下すると予想または、デバイスは機能しなくなります。TA これらの評価が与えられている限り、= + 25 ° c.最大定格の組み合わせは同時には適用できません。 ...
デバイスまたは関連デバイス ファミリの特定スクリーニングと電気のテストの要件を与える MIL M 38510 詳細デバイス仕様。ミル M 38510 部品番号で、スラッシュの後の最初の 3 桁はスラッシュ シート番号を指定します。たとえば、M38510/02004 BDB デバイス タイプ 04 スラッシュ ・ シートに指定されているでしょう。なおこと、ゼロはの先頭に 2 桁スラッシュ ・ ...
複雑なコンポーネント、回路またはそのハードウェアと外部のハードウェアとソフトウェアとの互換性を含むシステムの機能的なデザイン。
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